TRANSISTOR
B.J.T
Transistores Bipolares de unión, BJT. ( PNP o NPN )
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el grafico de cada tipo de transistor
SIMBOLO
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tipo NPN
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- Emisor común - Colector común - Base común
CARACTERISTICAS
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Emisor, que se diferencia de las otras dos
por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su
nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
·
Base, la intermedia, muy estrecha, que
separa el emisor del colector.
·
Colector, de extensión mucho mayor.
FUNCIONAMIENTO
·
Característica idealizada de un transistor bipolar.
·
En una configuración normal, la unión base-emisor se polariza en directa
y la unión base-colector en inversa.1 Debido
a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la
barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente
todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que
existe entre la base y el colector.
·
La corriente colector-emisor puede ser vista
como controlada por la corriente base-emisor (control de corriente), o por la
tensión base-emisor (control de voltaje). Esto es debido a la relación
tensión-corriente de la unión base-emisor, la cual es la curva
tensión-corriente exponencial usual de una unión PN (es decir, un diodo).
·
CONSTRUCION INTERNA
El transistor es un dispositivo de
tres zonas o capas. Podemos tener una zona de material tipo n en medio de dos
zonas de material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien tener
una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo caso estaríamos
hablando de un transistor npn.
La
zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos
terminales se representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E
(emitter), B (base) y C (colector).
La
zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada de
“emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de
un transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La
base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su
misión es la de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por
el emisor hacia el colector.
La
zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o
“colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de
atravesar la base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres.
